Оперативная память

[SkyReg11]

Оперативная память
DDR, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5

Одно из важнейших комплектующих в системном блоке.
Всё об оперативной памяти.

[Savage84]

По сути чипы памяти производят три фирмы: Самсунг, Хьюникс и Микрон.
По этому список можно сократить до:
Самсунг
Хьюникс
Крушиал (Микрон)
Как повезет (хьюникс или микрон)

У меня Хурри (кингстон) есть две планки куплены одномоментно в одном магазине: в одной хьюникс, в другой микрон. Никаких неудобств не чувствую.
Потом добавил две G.skill микрон - нормально дружат.

[SkyReg11]

Сообщение от Savage84

По сути чипы памяти производят три фирмы: Самсунг, Хьюникс и Микрон.

Так и есть.
Опрос не про производителей чипов, а про фирмы выпускающие оперативную память.
Недавно собрал системный блок, купил оперативную память с AliExpress, чипы Micron, DDR 4 16GB (2X8GB) 2400MHz разогнал до 3200MHz тайминги 16 18 18 38. Пока проблем не возникало, буду брать ещё две планки, пока не выбрал, либо Corsair или Patriot 16GB (2X8GB) 3000MHz.

[Робинзон]

Я не сильно в этом разбираюсь но насколько мне известно споры вокруг того что лучше иметь пусть и меньшую по количеству но "последовательную" память чем побольше но набранную "вразнобой", не утихают. Хотелось бы узнать мнение пользователей.

[mcleod-s]

у меня ноут АСУС ,АМД процессор.норм вроде.
====================================
я первый проголосовавший

[SkyReg11]

Планки оперативной памяти лучше брать по парно или четыре, то есть комплектами. В паре оперативная память будет работать в двухканальном режиме, если четыре планки, то в четырёхканальном соответственно, при этом режиме производительность увеличивается. Если разные планки по частотам, то оперативка будет работать с меньшей частотой. Основные характеристики оперативной памяти это: Частота, память, тайминги.

[Verdugo]

Сообщение от Скайуокер

В паре оперативная память будет работать в двухканальном режиме, если четыре планки, то в четырёхканальном соответственно

Количество каналов памяти - это характеристика контроллера памяти CPU.
Слотов памяти на материнской плате может быть распаяно сколько угодно. Количество, как и способ разводки этих слотов - это инициатива производителя материнской платы. Массовые пользовательские платформы обычно поддерживают работу в двухканальном режиме. Четырехканал - чаще прерогатива HEDT и рабочих/профессиональных платформ.

Вот очень годный разбор на эту тему от оверклокера Buildzoid

Спойлер:

[Для просмотра данной ссылки нужно зарегистрироваться]

[Робинзон]

Сообщение от Скайуокер

при этом режиме производительность увеличивается.

Это я и хотел сказать. Убедился в этом на собственном опыте. Но многие по прежнему утверждают что количество памяти важнее а остальное ерунда.

[SkyReg11]

Thermaltake выпустила комплект памяти Toughram RGB DDR4-4600 на 16 Гбайт

Компания Thermaltake анонсировала новый набор оперативной памяти Toughram RGB стандарта DDR4, предназначенный для настольных компьютеров игрового класса.
В состав нового комплекта входят два модуля ёмкостью 8 Гбайт каждый. Таким образом, суммарный объём составляет 16 Гбайт. Говорится о совместимости с аппаратными платформами Intel Z490 и AMD X570.

Спойлер:

Модули функционируют на частоте 4600 МГц при напряжении 1,5 В. Поддержка оверклокерских профилей Intel XMP 2.0 облегчит подбор настроек подсистемы оперативной памяти в UEFI.
Изделия наделены охлаждающим радиатором, для которого предусмотрены два варианта цветового исполнения — белый и чёрный. На память предоставляется пожизненная гарантия.
В верхней части модулей имеется яркая многоцветная подсветка. Управлять её работой можно через материнскую плату с технологией ASUS Aura Sync, GIGABYTE RGB Fusion, MSI Mystic Light Sync или ASRock Polychrome Sync. Упомянуты совместимость с экосистемой TT RGB PLUS и поддержка голосового помощника Amazon Alexa.

Информации об ориентировочной цене набора Toughram RGB DDR4-4600 на 16 Гбайт пока нет.

Источник: 3dnews.ru

[SkyReg11]

JEDEC выпускает финальную специфиакцию DDR5 SDRAM

Ассоциация JEDEC представила финальную спецификацию памяти DDR5 SDRAM. Новый стандарт обещает удвоение пропускной способности, учетверение плотности и снижение питающего напряжения.

Главные изменения в DDR5 включают:

• Удвоение максимальной плотности DIMM до 64 Гб, что означает возможность изготовления памяти объёмом 2 ТБ.
• Максимальная стандартная скорость передачи данных составит 6,4 Гб/с, вдвое быстрее 3,2 ГБ/с у DDR4. К моменту запуска DDR5 должна обеспечить скорость в 4,8 Гб/с, с ростом в будущем.
• Поскольку технологии не позволяют увеличить частоту работы памяти, в DDR5 будет увеличен параллелизм. Так, DDR5 обеспечит два независимых канала по 32 бита на DIMM, однако стандарт по-прежнему требует установку пар DIMM.
• Операционное напряжение снижено до 1,1 В с 1,2 В у DDR4.
• Модуль регулировки напряжения будет исключён из материнских плат. Это позволит снизить стоимость плат и не требует дополнительного функционала для повышения конфигурации памяти.
• Память будет содержать те же 288 контактов, что и DDR4, но отличительная конфигурация ключей не позволит установить DDR5 в старые слоты.
  
  Разработчик стандарта считает, что первая память DDR5 появится в устройствах через 15—18 месяцев, то есть во второй половине 2021 года. Пока же ни AMD, ни Intel официально не объявляли о платформах, которые получат память нового типа.

Источник: nvworld.ru

[SkyReg11]

Аналитики предсказывают, что к началу 2023 года разрыв в цене DDR4- и DDR5-памяти станет незначительным

Контрактные цены на DDR5, которые только за июль снизились на 20 %, продолжат падение до конца этого года, сообщает DigiTimes со ссылкой на источники, имеющие отношение к производителям модулей памяти. Они уверены, что к концу текущего — началу будущего года цены приблизятся к оптимальной отметке (sweet spot), когда разрыв между чипами DDR5 и DDR4 нивелируется.

Источники тайваньского ресурса отмечают, что объёмы поставок чипов DDR5 в 2021 году были ограничены из-за дефицита прочих компонентов — логики и схем управления питанием, что и вызвало значительное подорожание модулей памяти нового поколения. Сейчас наблюдаются обратные процессы: сокращение дефицита компонентов и невысокий потребительский спрос на ПК и бытовую электронику на фоне негативных макроэкономических факторов во II квартале 2022 года привели к снижению контрактных цен на чипы DDR5 — только в июле они подешевели на 10–15 % сильнее в сравнении с DDR4.

Сейчас производители DRAM наращивают выпуск чипов DDR5, но при этом очень не хотят, чтобы те резко подешевели, утащив за собой и DDR4. Поэтому расширение производства будет происходить постепенно, учитывая угрозы, которые таит в себе стагнация спроса. Все эти процессы, конечно, окажут благотворное для потребителя влияние на рынок DRAM в 2023 году. Однако ожидается, что в сегменте ПК распространение DDR5 будет происходить медленнее, чем в сферах промышленного и серверного оборудования — цены всё равно будут считаться высокими.

Источник: 3dnews.ru

[SkyReg11]

Netac представила модули DDR5 с частотой
до 8000 МГц на чипах SK hynix

Китайская компания Netac выпустит модули оперативной памяти стандарта DDR5 со скорость передачи данных до 8000 МТ/с, пишет китайское издание ITHome. Новинки вышли в серии Netac DDR5 Z-RGB.

В ассортименте производителя уже имеются несколько комплектов ОЗУ серии Z-RGB стандартов DDR5-4800, DDR5-5600 и DDR5-6000, обладающих таймингами CL40. В ближайшее время серия пополнится новыми комплектами ОЗУ общим объёмом 32 Гбайт. Каждый комплект будет состоять из двух модулей ОЗУ объёмом по 16 Гбайт. В серию войдут модули памяти стандартов DDR5-6200, DDR5-6600, DDR5-7600 и DDR5-8000, обладающие соответственно таймингами CL32, CL34, CL36 и CL38, и работающие при напряжении от 1,35 до 1,5 В.

Для модулей ОЗУ Netac Z-RGB DDR5 заявляется полная совместимость с материнскими платами на чипсетах Intel и AMD. Однако источник новости не уточняет, какие профили разгона они поддерживают — Intel XMP 3.0 или AMD EXPO.

Спойлер:

По данным самой Netac, её новые скоростные модули ОЗУ DDR5 Z-RGB используют чипы памяти DRAM A-Die от SK hynix. Новинки оснащены радиаторами охлаждения с ARGB-подсветкой, которая может синхронизироваться с подсветкой материнских плат самых популярных брендов. В продаже будут доступны модули ОЗУ с радиаторами чёрного и серебряного цветов.

Спойлер:

В продажу модули ОЗУ Netac Z-RGB DDR5 с частотой до 8000 МГц поступят в следующем году. Однако информации о точной дате старта продаж, а также стоимости будущих комплектов памяти пока нет.

Источник: 3dnews.ru

[SkyReg11]

DDR5 заставили работать на 11136 МГц — это новый рекорд разгона оперативной памяти

Тайваньскому энтузиасту Hicookie посчастливилось поднять планку рекорда разгона оперативной памяти — он заставил модуль ОЗУ работать в режиме DDR5-11136, то есть с эффективной частотой 11136 МГц. Это всего лишь на 6 МГц выше предыдущего рекорда, но примечательно, что на модуль памяти при этом не был установлен резервуар с жидким азотом — использовался только алюминиевый радиатор.

Предыдущий рекорд разгона памяти был установлен 12 октября прошлого года и соответствовал достижению режима DDR5-11130 при значениях таймингов 60-127-127-127-127-2. Новый рекорд был установлен при таких же задержках, но частота оказалась слегка выше.

Иной была конфигурация тестового стенда. В силу своей причастности к деятельности Gigabyte Technology оверклокер использовал материнскую плату Gigabyte Z790 AORUS Tachyon, под этой же маркой идентифицировался и модуль памяти объёмом 16 Гбайт. В основу системы был положен инженерный образец процессора Intel Core i9-13900K, который охлаждался жидким азотом при помощи специального резервуара. Автор эксперимента довольствовался съёмкой на камеру смартфона, поэтому качество видео не особо высокое.

Спойлер:

Напомним, что в ноябре прошлого года компания G.Skill продемонстрировала возможность работы одиночного модуля в режиме DDR5-10000 с использованием лишь воздушного охлаждения. По этой причине не стоит особо удивляться способности модуля памяти Gigabyte работать в режиме DDR5-11136 без дополнительного резервуара с жидким азотом. Таким образом, в статистике HWBot зарегистрировано уже два результата экстремального разгона памяти, соответствующих режимам выше DDR5-11000.

Источник: 3dnews.ru

[SkyReg11]

Рекордное падение цен на память вынудило её производителей приостановить строительство новых мощностей

Мировое производство чипов памяти переживает огромнейший спад спроса. Во втором полугодии 2022 года были зафиксированы самые значительные квартальные падения цен за всё время с момента начала наблюдений, пишет агентство Bloomberg.

По данным TrendForce, средняя цена на оперативную память DRAM упала в третьем квартале прошлого года на 31,4 % по сравнению с тем же периодом 2021 года, а в четвёртом квартале падение усилилось, составив 34,4 %. Ситуация с чипами флеш-памяти NAND ненамного лучше, сообщили аналитики, отметив, что за эти кварталы были зарегистрированы самые значительные снижения цен в отрасли с 2006 года.

Из-сложившейся ситуации большинство ведущих вендоров сократили объёмы производства и приостановили строительство новых мощностей. Компании Micron Technology, SK hynix и Kioxia объявили о мерах по стабилизации рынка с помощью сдерживания избыточного предложения. Исключение составляет лишь Samsung Electronics, которая планирует направить в этом году более $30 млрд на наращивание производственных мощностей.

Samsung делает ставку на долгосрочный рост потребления микросхем памяти, обусловленный растущим развёртыванием ресурсоёмких облачных сервисов, увеличением производства подключённых автомобилей и внедрением систем искусственного интеллекта. В своём последнем квартальном отчёте компания прогнозирует дальнейшее сокращение рынка смартфонов, вместе с тем ожидая, что ИИ-решения, такие как чат-бот ChatGPT, станут драйвером роста спроса на её продукцию.

Ранее в этом месяце ресурс BusinessKorea сообщил о том, что у Samsung Electronics и SK hynix отмечен значительный рост заказов в этом году на память с высокой пропускной способностью (HBM), которая в сочетании с мощными процессорами и графическими ускорителями позволяет значительно повысить производительность серверов при обучении и вычислениях ИИ.

Источник: 3dnews.ru

[SkyReg11]

На рынке памяти DRAM произошёл сильнейший обвал выручки с 2008 года

Согласно свежим данным аналитического агентства TrendForce, выручка на мировом рынке оперативной памяти DRAM рухнула на 32,5 % по итогам четвёртого квартала 2022 года по сравнению с третьим кварталом. В абсолютном выражении падение произошло с $18,19 млрд до $12,3 млрд. Это крупнейшее квартальное обрушение рынка памяти DRAM с 2008 года, когда выручка в этом направлении снизилась за квартал на 36 %.

По мнению TrendForce, основной причиной падения выручки от продаж памяти DRAM стало снижение средней цены реализации, вызванное быстрым накоплением запасов в третьем квартале 2022 года из-за снизившегося спроса на чипы. Опасаясь потери доли рынка, поставщики заключали менее выгодные контракты на поставки по более низким ценам, лишь бы продать свои складские запасы.

Тремя крупнейшими производителями чипов памяти DRAM по-прежнему остаются Samsung, SK hynix и Micron. Первый по итогам четвёртой четверти прошлого года отметил поквартальное падение выручки на 25,1 %, второй — на 35,2 %, а третий — на 41,2 %. В докладе TrendForce отмечается, что о значительном падении выручки в четвёртом квартале отчитались все шесть ведущих поставщиков памяти DRAM.

Спойлер:

Более агрессивное снижение цен на свои микросхемы на фоне конкурентов позволило компании Samsung увеличить свою долю на рынке с 40,7 % в третьем до 45,1 % в четвёртом квартале 2022 года. Доли SK hynix и Micron в свою очередь сократились с 28,8 до 27,7 процентов, а также с 26,4 до 23 процентов соответственно.

По данным TrendForce наиболее сильное снижение цен в четвёртом квартале прошлого года наблюдалось в сегменте серверной памяти DRAM, где чипы DDR4 и DDR5 последовательно подешевели на 23–28 % и на 30–35 % соответственно.

Micron в рамках своего последнего собрания акционеров в четверг объявила об ускорении процесса сокращения своего персонала на 15 % в этом году. Производитель также планирует сократить запасы и объёмы производства чипов памяти по итогам последнего финансового квартала. На фоне таких новостей стоимость акций компании упали более чем на 3 % и они продавались по $55,18 за одну бумагу.

Источник: 3dnews.ru

[SkyReg11]

Micron представила 128-Гбайт модули DDR5-8000 на передовых монолитных чипах и поделилась планами на будущее

Компания Micron представила модули регистровой оперативной памяти (RDIMM) для серверов ёмкостью 128 Гбайт, способные работать со скоростью до 8000 МТ/с. В их составе используются 32-гигабитные монолитные чипы DDR5, производящиеся с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя. Массовое производство этих модулей ОЗУ начнётся в следующем году. Ещё компания поделилась планами на будущее.



По словам компании, задействованная технология для производства 32-гигабитных монолитных кристаллов памяти DDR5 обеспечивает ряд преимуществ перед конкурирующей технологией 3DS TSV (Through-Silicon Via). Так, для новых чипов заявлены повышение битовой плотности более чем на 45 %, увеличение энергоэффективности до 24 %, снижение задержек до 16 % и повышение эффективности в задачах обучения ИИ до 28 %. Отказ от 3DS TSV позволил Micron лучше оптимизировать буферы ввода данных и критические схемы ввода-вывода, а также уменьшить ёмкость выводов на линиях данных.

Спойлер:

Micron в прошлом удваивала плотность монолитных кристаллов памяти примерно каждые три года. С дальнейшим развитием технологий производитель планирует перейти к выпуску 48-гигабитных и 64-гигабитных монолитных кристаллов памяти, которые откроют перспективу создания модулей ОЗУ объёмом 1 Тбайт.

Спойлер:

В дополнение к анонсу модулей памяти RDMIMM DDR5-8000 на 32-гигабитных чипах памяти на техпроцессе 1β, компания также опубликовала обновлённые планы по выпуску будущих продуктов. С середины 2024 года планируется начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду).

С 2024 года компания также планирует начать выпуск памяти RDIMM, MCRDIMM и решений CXL ёмкостью 128–256 Гбайт, а в 2026 году — объёмом более 256 Гбайт. С 2026 года производитель также начнёт выпуск энергоэффективных модулей памяти LPCAMM2 объёмом до 192 Гбайт и скоростью до 9600 МТ/с. Кроме того, планируется выпуск памяти HBM4 и HBM4E. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт.

Источник: 3dnews.ru